硅晶网的制作过程中，关键步骤主要包括以下几个环节：

1. 原料准备：选择高纯度的硅材料，通常是多晶硅或单晶硅，作为硅晶网的基础原料。

2. 熔融硅：将硅材料加热至熔融状态，通常在高温炉中进行。

3. 拉晶：利用单晶硅种子晶棒在熔融硅中缓慢旋转并向上提拉，形成单晶硅棒。这个过程称为“直拉法”（Czochralski process）。

4. 切割：将拉制出的单晶硅棒切割成薄片，这些薄片即为硅晶圆，是制造硅晶网的基本单元。

5. 抛光：对硅晶圆表面进行精密抛光，去除表面的杂质和划痕，确保表面平整光滑，适合后续的微纳加工。

6. 掺杂：通过扩散或离子注入的方式在硅晶圆表面引入杂质原子，改变其导电性，形成P型或N型硅。

7. 光刻：利用紫外光通过掩膜板对硅晶圆表面进行曝光，形成图案化的区域。这一步骤是微纳加工中的核心环节。

8. 蚀刻：利用化学或物理方法去除光刻后未保护的硅区域，形成所需的微纳结构。

9. 沉积：通过化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等技术在硅晶圆表面沉积金属、绝缘层或其他功能材料。

10.封装：将制作完成的硅晶网进行封装，以保护芯片免受环境因素的影响，并提供电气连接。

11. 测试与质量控制：对硅晶网进行严格的测试，确保其性能符合设计要求，并进行质量控制。

以上步骤需要在洁净室环境中进行，以避免尘埃和杂质对硅晶网质量的影响。每个步骤都需要精确控制工艺参数，确保硅晶网的性能和可靠性。